商品コード：
RLB100069
極薄シリコン酸化膜の形成と界面評価技術
販売価格(税込)：
31,900
円
ポイント：
0
Pt
■体裁:A4版144ページ
■発刊:1997/01/28
■ISBNコード:4-947655-95-X
【執筆者】
野村滋、福田永 室蘭工業大学
※所属、肩書き等は本書発刊当時のものです。
【序文】
"21世紀のギガビット時代に向けて,MOSLSIの高集積化が押し進められており,それに伴い駆動素子の微細化・高性能化への要求がますます強くなっている。MOSFETの基本構成であるゲート酸化膜でみると,デバイススケーリング則の要請から薄膜化が加速している。例えば1ギガビットDRAMになると,ゲート酸化膜厚が数ナノメートルの領域にまで達する。このような状況では,わずか数十原子層の酸化膜が,実に3MV/cm以上の電界を支えることになる。さらに,SiO2/Si界面の原子配列や化学結合状態が,MOSFETの移動度,酸化膜の電気伝導,ホットキャリア耐性および絶縁破壊特性を直接支配するようになる。したがって,極めて薄いゲート酸化膜の質的向上を図るには,界面状態を正確に把握した上で,原子レベルで制御できる酸化プロセスを構築する必要がある。
【目次】
第1章 シリコン酸化膜の概要
1.歴史的背景
1.1 MOSFETの誕生
1.2 シリコン酸化膜の歴史
2.MOS素子の動作原理
2.1 基本MOS構造
2.2 MOSFET
3.シリコン酸化膜の重要性
3.1 比例縮小則
3.2 短チャネル効果
3.3 サブスレッショールド特性
3.4 シリコン酸化膜のホットキャリア劣化
3.5 シリコン酸化膜の絶縁破壊
4.まとめ
第2章 極薄シリコン酸化膜形成技術
1.はじめに
2.酸化膜形成方法
3.酸化膜形成機構
3.1 酸化の過程
3.2 Deal-Grove
