■体裁:A4版174頁
■発刊:1995/03/28
■ISBNコード:4-89808-051-0

【執筆者】
滝川忠宏 東芝/ 舛岡富士雄 東北大学/ 藤田鋼一 富士通/
笠間邦彦 日本電気/ 森本博明/加門和也/宮本照雄 三菱電機/
井上壮一 東芝/ 鈴木章義 キヤノン/ 中川健二 富士通/
大塚博 沖電気工業/ 中瀬真 東芝/ 塘洋一 ソニー/
東内圭一郎/笠間邦彦 日本電気/ 徳田憲昭 ニコン/ 藤野毅 三菱電機/
斉藤徳郎 日立製作所/ 安田洋 富士通/ 大木茂久 日本電信電話/
鈴木克美 日本電気/ 重松和政 富士通/　
宮下裕之 大日本印刷/ 大瀧雅央 凸版印刷/
小久保忠嘉 富士写真フイルム/ 上野巧 日立製作所/ 伊東敏雄 沖電気工業/
中山壽昌 東京応化工業/ 中野茂樹、James W.Thackeray シプレイ・ファーイースト、Shipley Company

※所属、肩書き等は本書発刊当時のものです。

【序文】
3年前、Gビット時代へのリソグラフィ技術というタイトルを聞いて、まだまだ先の話だと思っていたのが、つい昨日のように思い起こされる。しかし、月日は矢のように過ぎ、実験的なチップとはいえ1GビットのDRAMが学会で報告されるに至った。今回報告された1GDRAMチップはいまだ実験的なチップであり、ここで用いられたリソグラフィ技術は工業にそのまま利用できるものではないだろう。そうだとしても、人類が始めて10億以上の素子を、一片のSiチップ上に集積した意義は大きい。

【目次】
《第1章》リソグラフィの現状と将来展望
1.　はじめに
2.　リソグラフィの位置づけ
3.　光リソグラフィ
3.1　装　置
3.2　最近の光学技術とマスク技術の革新
3.3　レジストプロセス技術
4.　EBリソグラフィ
4.1　マスク技術
4.2　EB直接描画技術
5.　X線リソグラフィ
6.　おわりに

《第2章》リソグラフィ技術に何を要求するか
第1節　メモリ設計の立場から
1.　はじめに
2.　DRAM技術からのリソグラフィ技術
3.　フラッシュメモリに要求されるリソグラフィ技術
4.　おわりに
第2節　ロジック設計の立場から
1.　はじめに
2.　LSI微細化高集積化技術のトレンド
2.1　プロセスの微細化トレンド
2.2　チップ面積の拡大トレンド
2.3　集積規模のトレンド
3.　ロジックLSIの先端製品
3.1　マクロ埋め込み型SOG
3.2　32ビットMPU
3.3　ベクトル演算プロセッサ
4.　ロジックLSIの特徴
4.1　技術的側面
4.2　ビジネス的側面
5.　リソグラフィ技術者への期待

《第3章》0.35-0.30μm微細加工技術
第1節　i線露光技術
1.　はじめに
2.　i線通常露光の可能性
2.1　最適光学パラメータの検討
2.2　レジスト性能の向上
3.　超解像手法の適用
3.1　位相シフト法
3.2　斜入射露光
4.　おわりに
第2節　変形照明
第1項　変形照明技術
1.　はじめに
2.　輪帯照明(Annular　illumination)
3.　分割照明
4.　変型照明と位相シフトマスクとの組み合わせ(PHALCOM)
5.　おわりに
第2項　フェーズコントラストリソグラフィによる焦点深度向上効果
1.　はじめに
2.　従来のRET
3.　最適化アルゴリズムについて
4.　結果・考察
4.1　周期パタン
4.2　ホールパタン
5.　あとがき
第3項　変形照明
1.　はじめに
2.　微細パターンの結像
3.　変形照明法と4重極効果
4.　変形照明の定性的説明
5.　実験結果
6.　おわりに
第3節　位相シフト法
第1項　位相シフト露光法
1.　はじめに
2.　技術的背景
3.　位相シフト法の原理
4.　各種位相シフト法
5.　レベンソン方式でのデバイスパターン発生
6.　クロムレス方式でのデバイスパターン特性
7.　おわりに
第2項　位相差マスク
1.　はじめに
2.　多段型位相シフタマスク
2.1　共役型シフタ
2.2　ディフォーカス非対称性
2.3　共役型シフタ法における補助シフタ
3.　ランダム位相差のディフォーカス特性
4.　位相差マスクの構造とプロセス
5.　マスク構造形成の課題
6.　位相欠陥の影響と修正法
7.　おわりに
第4節　エキシマレーザ露光
第1項　エキシマレーザプロセス技術
1.　はじめに
2.　露光装置(ステッパ)
3.　エキシマレーザ
4.　レジスト材料
5.　レジストプロセス
6.　おわりに
第2項　エキシマレーザリソグラフィ
1.　はじめに
2.　高反射を克服するために
2.1　高吸収材料によるアプローチ
2.2　反射防止膜によるアプローチ
3.　レーザおよびガスの現状
4.　おわりに
第3項　KrFエキシマレーザ露光技術
1.　はじめに
2.　通常照明の適用限界
2.1　露光光学パラメータの最適化
2.2　通常照明の適用限界
3.　化学増幅系レジストの溶解特性
4.　超解像手法の適用
4.1　変形照明の原理
4.2　変形照明の最適化と適用性
4.3　変形照明の近接効果
5.　おわりに

《第4章》0.25-0.20μm微細加工技術
第1節　エキシマレーザ露光　エキシマステッパ
1.　はじめに
2.　エキシマステッパとその周辺の現状
2.1　投影・照明光学系
2.2　エキシマレーザ
2.3　フォトレジスト・周辺機器
3.　露光機の開発状況
4.　今後の展望
5.　おわりに
第2節　EB直接描画技術
第1項　0.2μmLSIの直接描画技術
1.　はじめに
2.　EB直描装置
3.　EBレジスト
4.　近接効果補正とデータ処理技術
5.　その他の問題点
6.　おわりに
第2項　EB描画システムの最近の進歩
1.　はじめに
2.　新規開発技術
2.1　連続移動描画方式
2.2　一括図形描画法(セルプロジェクション描画法)
2.3　近接効果補正法
3.　総合性能
3.1　一括図形描画
3.2　ステージ連続移動描画
3.3　スループット
4.　おわりに
第3項　EB直接の高速・高精度化技術
1.　はじめに
2.　超短焦点レンズ
3.　リフォーカス補正と渦電流補正
4.　渦電流補償技術
5.　ドリフト低減技術とin-situクリーニング
6.　48ブロック選択・ブロック露光技術
7.　任意図形高速EB露光-Blanking　Aperture　Array(B
AA)
8.　おわりに
第3節　X線露光技術
第1項　X線露光技術
1.　はじめに
2.　X線露光技術の開発動向
3.　NTTにおける最近の成果
3.1　SORリソグラフィシステム
3.2　X線マスク
3.3　デバイス試作
4.　展望とまとめ
第2項　デバイスプロセスからみたX線リソグラフィ技術
1.　はじめに
2.　X線リソグラフィ技術の開発動向
2.1　X線源
2.2　X線マスク
3.　サブクォーターミクロン・デバイスからみたX線リソグラフィの得失
4.　小型シンクロトロンによるデバイス試作
5.　おわりに

《第5章》マスク・レチクル技術
第1節　マスク・レチクル技術の重要性の認識
1.　はじめに
2.　0.35μm以降のリソグラフィ
2.1　i線リソグラフィ(0.35-0.3μm)
2.2　DUVリソグラフィ(0.3-0.15μm)
2.3　その他のリソグラフィ(0.15-0.0Xμm)
3.　マスク・レチクル技術
3.1　MASK　CAD技術
3.2　描画装置
3.3　製作プロセス
3.4　検査・修正
3.5　位相シフトマスク
3.6　大型化と多様化
3.7　コストと納期
4.　おわりに
第2節　位相シフトマスク
1.　はじめに
2.　i線,　g線用ハーフトーン位相シフトマスク　ハーフトーン位相シフトマスク
の実用化
2.1　ブランクス
2.2　プロセス
2.3　検査・修正
2.4　転写効果
3.　DeepUV用ハーフトーン位相シフトマスク
4.　空間周波数変調型,　クロムレス型位相シフトマスク
5.　おわりに
第3節　EB露光とマスク精度
1.　はじめに
2.　レチクル仕様の動向
3.　高精度レチクルの現状
3.1　線巾制御
3.2　レジストレーション
3.3　欠陥・異物
3.4　欠陥修正
4.　考　察
4.1　線巾制御
4.2　レジストレーション
4.3　欠陥制御
5.　おわりに

《第6章》レジスト材料と高解像度化技術
第1節　ナフトキノンジアジド系のレジスト材料
1.　はじめに
2.　DNQ/ノボラック型ポジレジストの特性とその特徴
2.1　基本ケミストリー
2.2　ケミストリーの特徴
3.　ポジレジスト材料技術の進歩
3.1　その歴史
3.2　レジスト材料改良の技術的視点とその方法論
4.　現状の問題点など
4.1　膜内光多重反射に関わる問題(レジストの膜厚依存性)
4.2　安全溶剤化
5.　おわりに
第2節　化学増幅系レジスト
第1項　化学増幅系レジスト
1.　はじめに
2.　化学増幅系レジストの必要性-光源強度とエネルギー吸収の観点から
2.1　フォトリソグラフィ用レジスト
2.2　Deep-UVリソグラフィ
2.3　電子線リソグラフィ
3.　化学増幅系レジストの作用原理
4.　化学増幅系レジストの開発動向
4.1　酸発生剤
4.2　酸触媒反応による分類
5.　プロセス安定性の問題点とその取組み
6.　おわりに
第2項　化学増幅レジストと高解像度化技術
1.　はじめに
2.　化学増幅レジストの反応機構
2.1　極性変換
2.2　解重合
2.3　重　合
3.　高解像度化
3.1　溶解速度差の拡大
3.2　多層レジスト
3.3　表面反応
4.　おわりに
第3項　化学増幅型レジスト
1.　はじめに
2.　レジストの反応系
2.1　レジスト材料の歴史
2.2　化学増幅型レジスト
2.3　化学増幅型レジストの反応機構
3.　化学増幅型レジスト最近の動向
3.1　特許公報にみる最近の動向
3.2　文献に見る化学増幅型レジストの構成
4.　遠紫外線用レジストへの適正化
4.1　ポジ型レジスト
4.2　ネガ型レジスト
4.3　樹脂の検討
5.　化学増幅型レジストの課題
6.　おわりに
第4項　最新のDeepUVレジスト
1.　はじめに
2.　ネガ型レジスト
3.　ポジ型レジスト
3.1　レジストの成分について
3.2　レジストプロセス特性

座談会「見えてきたGビット時代へのリソグラフィ技術」
索引