■体裁:A4判、約1550頁
■発刊:2000年9月
■ISBNコード:

【監修】
UCS半導体基盤技術研究会

【目次】

まえがき　本誌編集にあたって

序　編　UCS12年を語る/未来への飛躍に向けて　　　
第1編　歴史編　　　
1.UCS12年を振り返って　　　
1.1　顧問:UCS12年を振り返って　　　
1.1.1　半導体の過去10年と2005年問題　　　
1.1.2　UCS12年を振り返って　　　
1.1.3　UCS12年を振り返って　　　
1.2　運営委員:UCS12年を振り返って　　　
1.3　理事:UCS12年を振り返って　　　
1.3.1　UCS12年を振り返って　　　
1.3.2　UCS12年を振り返って　　　
1.3.3　UCS12年を振り返って　　　
1.3.4　UCS12年を振り返って　　　
1.3.5　UCS12年を振り返って　　　
1.3.6　UCS活動の成果とは　　　
1.3.7　“UCS”の国際化　　　
1.3.8　UCSは21世紀への助走　　　
1.3.9　LSI技術と産業を支えるUCS　　　
1.4　半導体基盤技術研究会に期待する　　　
2.UCSの時代的変遷　　　
2.1　UCS発足前:人類が初めて体験する超清浄空間つまり究極のクリーンルームは爽やかな人間関係が生み出した(座談会)　　　
2.2　UCS設立の経緯:半導体基盤技術研究会正式発足まで　　　
2.3　UCSのアクティビティ　　　
2.3.1　大見会長の巻頭言からみたUCSの活動の歴史　　　
2.3.2　ウルトラクリーンテクノロジー編集主旨　　　
3.8年目を終えた時点でのアンケート結果と今後の課題　　　

第2編　技術編　　　
1.ウルトラクリーンテクノロジーの基本コンセプトとUCSの成果　　　
2.技術の成果　　　
2.1　デバイス・プロセス技術　　　
2.1.1　デバイス構造　　　
2.1.2　金属基板SOIデバイス技術　　　
2.1.3　プロセス・デバイスシミュレーション　　　
2.1.4　リソグラフィプロセスのクリーン化　　　
2.1.5　ニア0.1mm時代のドライエッチング　　　
2.1.6　洗　浄　　　
2.1.7　素子分離技術　　　
2.1.8　MOSゲート絶縁膜　　　
2.1.9　DRAMキャパシタ技術　　　
2.1.10　不純物ドーピング　　　
2.1.11　CMP　　　
2.2　クリーンルーム技術　　　
2.2.1　あるべき姿　　　
2.2.2　クリーンルームの構成と要素技術　　　
　2.2.2.1　建屋プラント構造　　　
　2.2.2.2　内　装　　　
　2.2.2.3　空調除塵　　　
　2.2.2.3.1　冷熱源　　　
　2.2.2.3.2　空調熱源系　　　
　2.2.2.4　電気設備　　　
　2.2.2.4.1　動力配線　　　
　2.2.2.5　静電気対策　　　
　2.2.2.6　省エネルギ　　　
　2.2.2.6.1　装置排気と空調負荷　　　
　2.2.2.6.2　装置冷却水　　　
　2.2.2.7　化学汚染　　　
　2.2.2.7.1　化学汚染, その計測とケミカルフィルタによる対策　　　
　2.2.2.7.2　クリーンドライエア　　　
　2.2.2.8　中央監視　　　
　2.2.2.9　防　災　　　
2.2.3　今後の展望　　　
2.3　搬送技術　　　
2.3.1　あるべき姿　　　
2.3.2　搬送システムの基礎技術　　　
　2.3.2.1　高速排気システム　　　
　2.3.2.2　ゲートバルブ　　　
　2.3.2.2.1　ウルトラクリーンテクノロジーを適用したオールメタルゲートバルブ　　　
　2.3.2.2.2　無摺動ゲートバルブの開発　　　
　2.3.2.3　パーティクル関連　　　
　2.3.2.3.1　ウエハ付着パーティクルの計測・評価技術　　　
　2.3.2.3.2　真空装置内のパーティクルの実測　　　
　2.3.2.4　超高純度なドライエアや窒素の発生　　　
　2.3.2.4.1　超高純度ドライエア供給システム　　　
　2.3.2.4.2　ケミカルフリーな乾空製造技術　　　
　2.3.2.4.3　高純度乾燥空気の製造供給技術　　　
　2.3.2.4.4　クリーンドライエア　　　
2.3.3　ウエハの毎葉搬送に関する基礎技術とシステム　　　
　2.3.3.1　次世代半導体工場のトンネル搬送　　　
　2.3.3.2　ウルラクリーンN2雰囲気ウエハ搬送システム 　　　
　2.3.3.3　N2ガスウエハトランスポーテーション　　　
　2.3.3.4　真空チューブ内を毎葉で磁気浮上搬送する搬送システムを持った工場　　　
　2.3.3.5　Siウエハ用超音波浮揚・搬送システムの実用化研究　　　
2.3.4　ウエハのバッチ搬送に関する基礎技術とシステム　　　
　2.3.4.1　21世紀のクリーンボックス　　　
　2.3.4.2　ウエハキャリアーボックスからの脱ガス評価　　　
　2.3.4.3　21世紀半導体工場のウエハ自動搬送システム“局所クリーン化のエースFOUPで究極のダイレクト搬送実現”　　　
　2.3.4.4　トンネル搬送技術　　　
　2.3.4.5　ULSIウエハ工場の現状と2010年に向けた展望　　　
2.3.5　今後の展望　　　
2.4　ガス技術　　　
2.4.1　超高純度ガスのあるべき姿　　　
2.4.2　超高純度ガスを支える技術　　　
　2.4.2.1　ガス供給系のコンセプトと金属表面処理　　　
　2.4.2.2　ガス供給系設計論　　　
　2.4.2.2.1　バルクガス　　　
　2.4.2.2.2　プロセスガス　　　
　2.4.2.3　ガス供給系施工技術　　　
　2.4.2.3.1　溶接技術　　　
　2.4.2.3.1.1　ウルトラクリーン高速一周溶接　　　
　2.4.2.3.1.2　溶接電極の長寿命化　　　
　2.4.2.3.2　評価技術　　　
　2.4.2.3.2.1　高圧ガス中のパーティクル計測　　　
　2.4.2.3.2.2　特殊ガス中パーティクル測定　　　
　2.4.2.3.2.3　APIMSによる水分評価　　　
　2.4.2.3.2.4　APIMSによる外部リーク評価　　　
　2.4.2.4　要素技術　　　
　2.4.2.4.1　弁　　　
　2.4.2.4.1.1　オールメタルバルブとその効果　　　
　2.4.2.4.1.2　誤動作フリーバルブ駆動システム　　　
　2.4.2.4.1.3　メタルダイヤフラム材料SPRON510　　　
　2.4.2.4.2　クリーン配管　　　
　2.4.2.4.3　ウルトラクリーン圧力センサ, 圧力調整弁の設計・製作の考え方とその到達点　　　
　2.4.2.4.4　継　手　　　
　2.4.2.4.4.1　メタルCリング継手・SuperJSK継手　　　
　2.4.2.4.4.2　メタルガスケット継手・UPG　　　
　2.4.2.4.5.1　流動制御機器/マスフローコントローラ　　　
　2.4.2.4.5.2　圧力制御式流量コントローラFCS　　　
　2.4.2.4.6　フィルタ　　　
　2.4.2.4.7　ガス容器および容器弁　　　
　2.4.2.4.7.1　ガス容器　　　
　2.4.2.4.7.2　容器弁　　　
　2.4.2.5　システム　　　
　2.4.2.5.1　集積化ガスシステム　　　
　2.4.2.5.2　水素ガス純化器　　　
　2.4.2.5.3　不活性ガス純化器　　　
　2.4.2.5.4.1　シリンダキャビネット　　　
　2.4.2.5.4.2　液化ガス貯槽およびタンクローリー　　　
　2.4.2.5.5　排ガス処理システム　　　
2.4.3　超高純度ガス　　　
　2.4.3.1　モノシラン　　　
　2.4.3.2　AsH3とPH3の高品質化とその評価　　　
　2.4.3.3　フッ化水素　　　
　2.4.3.4　塩化水素　　　
　2.4.3.5　エキシマガス　　　
2.4.4　今後の展望　　　
2.5　超純水技術　　　
2.5.1　半導体産業における水処理技術のあるべき姿　　　
　2.5.1.1　今までの経緯(時代の要求)　　　
　2.5.1.2　超純水水質の推移　　　
2.5.2　超純水の分析およびモニタリング・運転管理技術　　　
　2.5.2.1　超純水分析の取り組み　　　
　2.5.2.2　超純水水質分析技術　　　
　2.5.2.2.1　水中不純物の定量分析技術　　　
　2.5.2.2.2　水中不純物の同定技術　　　
　2.5.2.3　水質監視・モニタ　　　
　2.5.2.4　運転管理技術　　　
2.5.3　超純水製造技術　　　
　2.5.3.1　超々純水への取り組み　　　
　2.5.3.2　超純水グレード部材のクリーン化技術　　　
　2.5.3.2.1　はじめに　　　
　2.5.3.2.2　RO, UF, MF　　　
　2.5.3.2.3　イオン交換樹脂　　　
　2.5.3.2.4　配管材料と配管施工　　　
　2.5.3.2.5　まとめ　　　
　2.5.3.3　高純度化に向けたユニットプロセス技術　　　
　2.5.3.4　安定・低コストに向けたシステム技術　　　
2.5.4　排水処理技術・排水回収技術　　　
　2.5.4.1　排水処理・回収の取り組み　　　
　2.5.4.2　排水処理技術　　　
　2.5.4.3　排水回収技術　　　
　2.5.4.4　有価物回収技術　　　
2.5.5　ウェットプロセスの変革　　　
　2.5.5.1　ウェットプロセスの課題と変革への取り組み　　　
　2.5.5.2　ウルトラクリーンな表面と汚染除去メカニズムの解明　　　
　2.5.5.3　室温・省薬品洗浄技術　　　
2.5.6　今後への期待　　　
　2.5.6.1　時代の要求　　　
　2.5.6.2　半導体への貢献　　　
2.6　薬品技術　　　
2.6.1　高純度薬品のあるべき姿　　　
　2.6.1.1　はじめに　　　
　2.6.1.2　ワーキンググループの作業内容　　　
2.6.2　薬液の高純度化と製品　　　
2.6.3　薬液の分析についての検討活動経過　　　
2.6.4　薬品供給システム, 部品材料　　　
　2.6.4.1　薬品供給システム　　　
　2.6.4.2　高純度薬品ワーキンググループが行ったフッ素樹脂の評価について　　　
2.6.5　半導体製造プロセスから排出される薬品廃液の再生・再利用について　　　
2.6.6　レジスト　　　
2.6.7　CMP　　　
2.6.8　特殊ガスおよびバッファードフッ酸メーカを対象にした調査結果　　　
2.6.9　まとめと今後の展望　　　
2.7　シリコン技術　　　
2.7.1　シリコン結晶のあるべき姿　　　
　2.7.1.1　シリコン結晶材料とデバイス性能　　　
　2.7.1.2　アドバンスドクォータマイクロン時代以降のシリコン結晶　　　
　2.7.1.3　シリコン結晶技術の課題　　　
2.7.2　技術項目　　　
　2.7.2.1　バルク結晶　　　
　2.7.2.1.1　シリコン単結晶中の微小欠陥が酸化膜耐圧に及ぼす影響　　　
　2.7.2.1.2　結晶品質と酸化膜耐圧について　　　
　2.7.2.1.3　Siの結晶欠陥制御と不純物分析　　　
　2.7.2.1.4　大口径シリコン基板製造への展開　　　
　2.7.2.1.5　Crystal Growth Technology of Large Diameter Single Crystals　　　
　2.7.2.1.6　大口径ウエハの欠陥低減　　　
　2.7.2.2　洗浄・加工　　　
　2.7.2.2.1　大口径基板平坦化技術　　　
　2.7.2.2.2　洗浄と酸化膜品質　　　
　2.7.2.2.3　ウェットプロセス技術　　　
　2.7.2.2.4　金属汚染のデバイスへの影響と新洗浄液の開発　　　
　2.7.2.2.5　アイススクラバ洗浄　　　
　2.7.2.2.6　大直径シリコンウエハ加工技術　　　
　2.7.2.3　エピウエハ　　　
　2.7.2.3.1　エピタキシャルウエハ技術　　　
　2.7.2.3.2　新エピタキシー工場建設におけるUC技術の導入　　　
　2.7.2.3.3　エピタキシャル・ウエハとULSI　　　
　2.7.2.3.4　低圧クリーンCVDによるシリコン　　　低温エピタキシャル成長　　　
　2.7.2.3.5　Numerical Modelling of Chemical Vapor Deposition as a Tool for Process Optimization and Reactor Design　　　
　2.7.2.3.6　シリコンエピ成長の輸送現象解析　　　
　2.7.2.3.7　分子運動から膜成長をシミュレートする　　　
　2.7.2.3.8　シリコンエピ層のライフタイム品質評価　　　
　2.7.2.4　SOIウエハ　　　
　2.7.2.4.1　SOI・エピ技術委員会活動報告　　　
　2.7.2.4.2　薄膜SOI技術　　　
　2.7.2.4.3　結合SOIウエハ　　　
　2.7.2.5　熱処理　　　
　2.7.2.5.1　大口径ウエハのバッチ熱処理の諸問題　　　
　2.7.2.5.2　バッチ式高速熱処理技術(FTPS)　　　
　2.7.2.5.3　大口径ウエハの熱処理における曲げ応力と機械的強度の検討　　　
　2.7.2.6　シリコン表面/界面　　　
　2.7.2.6.1　酸化膜の表面・界面について　　　
　2.7.2.6.2　自然酸化膜を科学する　　　
　2.7.2.6.3　自然酸化膜を科学する　　　
　2.7.2.6.4　シリコンウエハの水素終端技術　　　
　2.7.2.6.5　プロセスを高性能化する水素ターミネートSi表面　　　
　2.7.2.6.6　SiおよびSiO2表面の水分の吸着・脱離　　　
　2.7.2.6.7　X線CTRによるシリコン酸化膜界面の評価　　　
　2.7.2.6.8　Si表面のビジュアル化　　　
　2.7.2.6.9　半導体表面のAFM/STM観察　　　
　2.7.2.7　ゲッタリング・金属汚染　　　
　2.7.2.7.1　許容金属汚染量のロードマップ　　　
　2.7.2.7.2　極限微細化を目指す半導体デバイスとコンタミネーションコントロール　　　
　2.7.2.7.3　不純物汚染とデバイス特性　　　
　2.7.2.7.4　シリコンウエハの金属汚染と酸化膜欠陥　　　
　2.7.2.7.5　微量金属の表面付着とその影響　　　
　2.7.2.7.6　ゲッタリング技術の展望　　　
　2.7.2.7.7　ゲッタリング技術　　　
　2.7.2.7.8　重金属不純物の振る舞いとゲッタリング　　　
　2.7.2.8　化学汚染　　　
　2.7.2.8.1　塵埃汚染と化学汚染　　　
　2.7.2.8.2　クリーンルームエアからの有機物汚染　　　
　2.7.2.9　ウエハボックス　　　
　2.7.2.9.1　PFAキャリアの帯電・除電メカニズムと半導体基板へのパーティクル付着の低減　　　
　2.7.2.9.2　PFAウエハキャリアーの残留フッ化物除去法　　　
　2.7.2.10　シリコンおよび関連資源の回生　　　
　2.7.2.10.1　全体の動向　　　
　2.7.2.10.2　半導体産業におけるシリコンの回生　　　
　2.7.2.10.3　シリコンゼロエミッション実現の課題　　　
　2.7.2.10.4　大口径ウエハ対応の洗浄装置　　　
　2.7.2.10.5　貼り合わせシリコンウエハのSmart Cutィ技術　　　
　2.7.2.10.6　ウエハ再生技術　　　
　2.7.2.10.7　モニターウエハの削減　　　
　2.7.2.10.8　シリコン屑の再利用　　　
　2.7.2.10.9　工業用ガスの回収・リサイクル技術　　　
2.7.3　シリコン関連材料　　　
　2.7.3.1　ジクロロシランの熱分解特性　　　
　2.7.3.2　アルシンとホスフィン　　　
　2.7.3.3　テフロン治具からの溶出物質の評価　　　
2.7.4　今後の展望　　　
2.8　製造装置技術　　　
2.8.1　半導体製造装置のあるべき姿　　　
2.8.2　イオン注入層の低温アニール技術　　　
2.8.3　高信頼性極薄酸化膜形成技術　　　
2.8.4　自己整合加熱技術　　　
2.8.5　半導体製造装置のガス排気システム　　　
2.8.6　小規模段階投資ラインに適したプラットフォーム　　　
2.8.7　リソグラフィ用連続発振エキシマレーザ　　　
2.8.8　半導体製造装置用セラミックス材料　　　
2.8.9　今後の展望　　　
2.9　トータル低温化プラズマプロセス技術　　　
2.9.1　半導体プラズマプロセスのあるべき姿　　　
2.9.2　均一プロセスを実現するガス供給法　　　
2.9.3　イオン照射エネルギの精密制御　　　
2.9.4　各種新開発プラズマプロセス装置　　　
2.9.5　高性能プラズマ装置が実現するプロセス技術　　　
2.9.6　プロセスチャンバのIn-Situクリーニング　　　
2.9.7　シングルプローブを用いた高周波励起プラズマの高精度計測　　　
2.9.8　機差のないプラズマプロセス装置　　　
2.9.9　今後の展望　　　
2.10　ESH技術　　　
2.10.1　全体動向　　　
　2.10.1.1　ESH技術の全体動向　　　
　2.10.1.2　半導体産業における化学資源回生への挑戦　　　
2.10.2　安　全　　　
　2.10.2.1　半導体製造工場における高圧ガス事故と再発防止策　　　
　2.10.2.2　CVDプロセスから発生する反応性副生成物(排気系堆積物)とその安全対策　　　
　2.10.2.3　半導体材料シリコン化合物の曝露管理と健康管理　　　
2.10.3　省エネルギ　　　
　2.10.3.1　半導体工場の省エネルギの動向　　　
　2.10.3.2　半導体デバイス製造ラインおよび半導体製造装置の消費エネルギ　　　
　2.10.3.3　CZ法シリコン単結晶引上げ時の電力削減　　　
2.10.4　環境対策　　　
　2.10.4.1　排ガス処理　　　
　2.10.4.1.1　PFCの動向と回収装置　　　
　2.10.4.1.2　排ガス処理装置の環境への影響と廃剤のリサイクル　　　
　2.10.4.1.3　地球温暖化防止とLSIプロセス技術　　　
　2.10.4.1.4　メンブラン技術を利用したPFCガスの回収・リサイクル　　　
　2.10.4.1.5　半導体製造工場におけるガス使用量削減化技術　　　
　2.10.4.1.6　アルゴン回収精製技術　　　
　2.10.4.1.7　除害剤の再利用・再資源化 -破過剤のリサイクルと新規除害剤の開発-　　　
2.10.4.2　廃液/廃水処理　　　
　2.10.4.2.1　半導体産業における薬品の再生・再利用について　　　
　2.10.4.2.2　フッ素薬液回収技術　　　
　2.10.4.2.3　フッ素回収技術　　　
　2.10.4.2.4　フッ素薬液回収技術　　　
　2.10.4.2.5　フッ素回収システム技術　　　
　2.10.4.2.6　クロスフローろ過を用いたフッ素排水処理システムの開発　　　
　2.10.4.2.7　イオン交換法によるフッ素イオン除去　　　
　2.10.4.2.8　フッ酸回収後の廃液の高度処理技術　　　
　2.10.4.2.9　廃アルカリ(現像廃液)の高効率微生物処理技術　　　
　2.10.4.2.10　DMSO 含有廃水の処理技術　　　
　2.10.4.2.11　半導体工場における薬品の有効活用と再資源化　　　
　2.10.4.2.12　薬品リサイクルへの取組み　　　
　2.10.4.2.13　ウエハメーカーでのケミカル回生の現状と今後　　　
　2.10.4.2.14　硫酸回収精製システム　　　
　2.10.4.2.15　硫酸回収精製技術　　　
　2.10.4.2.16　IPA回収技術　　　
　2.10.4.2.17　IPAの回収精製　　　
　2.10.4.2.18　ウェットプロセスの動向-環境適合ウェットプロセス-　　　
　2.10.4.3　廃棄物対策　　　
　2.10.4.3.1　産業廃棄物ゼロの半導体工場運営　　　
　2.10.4.3.2　半導体製造工場における環境マネージメント(ケーススタディ)　　　
2.10.5　今後の展望　　　
2.11　評価分析技術　　　
2.11.1　高性能分析評価技術の重要性　　　
2.11.2　評価分析技術のあるべき姿　　　
2.11.3　ガス分析　　　
　2.11.3.1　APIMS法　　　
　2.11.3.2　APIMS他を用いたULSI用超高純度ガス配管システムの評価　　　
　2.11.3.3　Sensors for the Detection of Moisture in Inert and Corrosive Gases　　　
　2.11.3.4　レーザ分光計による特殊ガス分析　　　
　2.11.3.5　特殊ガス評価用APIMS　　　
　2.11.3.6　APIMSによるモノシランガス中のジシロキサン定量分析　　　
　2.11.3.7　APIMS, ICP/MS, GC/MS, GCなどによる評価技術　　　
　2.11.3.8　インライン ガス濃度モニリング　　　
　2.11.3.9　超高感度ヘリウムリーク試験器　　　
2.11.4　液体分析　　　
　2.11.4.1　微量金属不純物分析評価技術とその適用　　　
　2.11.4.2　超微量化学汚染分析　　　
　2.11.4.3　UCT用化学分析の現状と応用例　　　
　2.11.4.4　ICPスペクトロメトリーによる薬液中極微量不純物の評価　　　
　2.11.4.5　高温加圧湿式酸化法による超純水中の全有機体炭素の高精度計測　　　
2.11.5　ウエハ表面汚染分析　　　
　2.11.5.1　フッ化水素酸を用いたウエハ表面の清浄度評価技術　　　
　2.11.5.2　TXRF定量分析　　　
　2.11.5.3　昇温脱離分析法によるウエハ表面有機物の分析　　　
　2.11.5.4　ULSI製造プロセスにおける微量不純物評価技術とラインモニタリング技術　　　
　2.11.5.5　放射能利用分析法　　　
　2.11.5.6　FTIR-ATR　　　
2.11.6　クリーンルーム評価　　　
　2.11.6.1　クリーンルーム雰囲気の汚染評価　　　
　2.11.6.2　CR環境の汚染実態の化学的調査　　　
　2.11.6.3　CR雰囲気の極微量分析　　　
　2.11.6.4　CRエアモニタ　　　
2.11.7　パーティクル分析　　　
　2.11.7.1　パーティクル評価法展望　　　
　2.11.7.2　ウエハ付着パーティクルの計測・評価技術　　　
　2.11.7.3　CNC(凝縮核検出)技術　　　
　2.11.7.4　半導体製造工程におけるパーティクル測定　　　
　2.11.7.5　プロセスガスおよびCVD装置からの粒子計測　　　
　2.11.7.6　マイクロ波誘導プラズマ微粒子分析　　　
　2.11.7.7　In Situ真空パーティクルモニタによるパーティクル測定　　　
2.11.8　結晶評価　　　
　2.11.8.1　陽電子消滅による点欠陥の評価　　　
　2.11.8.2　走査形m-RHEED顕微鏡による極微小領域結晶構造解析　　　
　2.11.8.3　ライフタイム利用金属汚染分析　　　
　2.11.8.4　Siの結晶欠陥制御と不純物分析　　　
2.11.9　デバイスプロセス分析評価　　　
　2.11.9.1　原子オーダーの表面ラフネスを計る　　　
　2.11.9.2　X線光電子分光法によるSiO2/Si界面および界面近傍の不完全構造の検出　　　
　2.11.9.3　X線マイクロビームを用いた高分解能観察と分析　　　
　2.11.9.4　AESとSIMSの最近の進歩　　　
　2.11.9.5　高分解能電子顕微鏡によるULSI評価　　　
　2.11.9.6　キャピラリ法によるコンタクト孔底の観察　　　
　2.11.9.7　多層配線の三次元的評価技術　　　
　2.11.9.8　微小部応力解析　　　
2.11.10　デバイスプロセス検査　　　
　2.11.10.1　ボルテージコントラスト法を用いたコンタクト欠陥の評価　　　
　2.11.10.2　Defect Detection and Analysis at SEMATECH　　　
　2.11.10.3　走査電子顕微鏡による穴パターンの観察と形状測定　　　
　2.11.10.4　半導体プロセスにおける異物解析システム　　　
　2.11.10.5　X線反射率法による多層薄膜評価　　　
　2.11.10.6　表面帯電電荷量計測技術　　　
2.11.11　システムLSIの故障解析　　　
2.11.12　計測技術開発の考え方　　　
2.11.13　評価分析技術　今後の展望　　　
2.12　洗浄・乾燥技術　　　
2.12.1　洗浄・乾燥技術のあるべき姿　　　
2.12.2　半導体表面の電子化学 -新しい表面洗浄技術-　　　
2.12.3　RCA洗浄の特徴と問題点　　　
2.12.4　汚染除去メカニズム　　　
2.12.5　室温省資源洗浄技術　　　
2.12.6　乾燥技術　　　
2.12.7　ウェット方式レジスト剥離技術　　　
2.12.8　選択・非選択ウェットエッチング　　　
　2.12.8.1　選択ウェットエッチング　　　
　2.12.8.2　非選択ウェットエッチング　　　
2.12.9　今後の展望　　　
2.13　TFT液晶技術　　　
2.13.1　TFT液晶技術委員会の活動　　　
2.13.2　TFT-LCDの応用とガラス基板サイズ　　　
2.13.3　a-Si TFT　　　
2.13.4　p-Si TFT　　　
2.13.5　1メータ角要素プロセス　　　
2.13.6　露　光　　　
2.13.7　ドライプロセスにおける課題　　　
　2.13.7.1　はじめに　　　
　2.13.7.2　スパッタリング装置の新しいコンセプト　　　
　2.13.7.3　新しいプラズマプロセス装置　　　
　2.13.7.4　平行平板装置内のガス組織分布に関する考察　　　
2.13.8　ウェットプロセス技術　　　

第3編　UC標準化編　　　
1.UC標準化委員会　　　
2.材料部会　　　
2.1　薄い酸化膜厚測定法　　　
2.2　全反射蛍光X線分析法によるシリコンウェーハ上の不純物の測定方法　　　
2.3　シリコンウエハ表面の有機物定量法　　　
3.部品部会　　　
3.1　ウルトラクリーンボンベ標準案　　　
3.2　シランガス中の水分濃度測定法の標準化　　　
3.3　バルブシートリーク測定方法　　　
4.装置部会　　　
4.1　大気圧イオン化質量分析装置による高純度チッ素ガス中水分の検量線作成方法　　　
4.2　AFMにおける1nmオーダの高さ校正法　　　
4.3　昇温脱離分析法におけるシリコン基板温度の校正法　　　
5.CR部会　　　
5.1　ウルトラクリーンガス配管系部品と配管施工方法　　　
5.2　超純水用配管材料の溶出試験方法　　　
5.3　遠心ろ過-電子顕微鏡法による超純水中微粒子計測法　　　
6.プロセスガス計測部会　　　
6.1　半導体レーザ分光分析装置による塩化水素ガス中水分の測定方法　　　
6.2　大気圧イオン化質量分析装置(APIMS)によるモノシランガス中シロキサンの計測方法　　　
7.標準化安全部会　　　
7.1　特殊材料ガス容器弁　　　

第4編　資料編　　　
1.年　表　　　
2.組織・委員会の変遷　　　
3.UCグレード製品紹介　　　
4.文献リスト